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型号 SI8406DB-T2-E1
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 20V D-S MICROFOOT
SI8406DB-T2-E1 PDF
代理商 SI8406DB-T2-E1
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 33 毫欧 @ 1A，2.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 850mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds 830pF @ 10V
功率 - 最大 13W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-UFBGA
供应商设备封装 6-Micro Foot?
包装 标准包装
其它名称 SI8406DB-T2-E1DKR
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